প্রতিবেদন অনুসারে, উহান বিশ্ববিদ্যালয়ের গবেষণা দলটি গ্যালিয়াম নাইট্রাইড জংশন সীমানা মিলে যাওয়ার সমস্যা হ্রাস করতে পিএসএসএ (সিলিকা অ্যারের সাথে প্যাটার্নযুক্ত নীলা) সাবস্ট্রেট ব্যবহার করার ঘোষণা দিয়েছে। এটি প্রস্তাব করা হয় যে পিএসএসএ সাবস্ট্রেট ইন্ডিয়াম গ্যালিয়াম নাইট্রাইড এবং গ্যালিয়াম নাইট্রাইড (আইএনজিএন / গাএন) ফ্লিপ-চিপ দৃশ্যমান আলো নেতৃত্বাধীন দক্ষতার উন্নতি করতে পারে।
পিএসএসএ হ'ল একটি সিলিকন ডাই অক্সাইড অ্যারে সহ একটি প্যাটার্নযুক্ত নীলকান্তি স্তর। এই বছরের শুরুর দিকে, গবেষণা দলের প্রধান অধ্যাপক ঝাউ শেনজুন প্রস্তাব করেছিলেন যে পিএসএসএ সাবস্ট্রেট ইন্ডিয়াম গ্যালিয়াম নাইট্রাইড এবং অ্যালুমিনিয়াম গ্যালিয়াম নাইট্রাইড (ইনজিএএন / অ্যালগ্যান) ইউভি এলইডিগুলির দক্ষতা উন্নত করতে পারে।
এই সমীক্ষায় গ্রুপ তৃতীয় গ্যালিয়াম নাইট্রাইড এলইডিগুলির দক্ষতা বৃদ্ধিতে পিএসএসএ সাবস্ট্রেটের দুর্দান্ত সম্ভাবনার বর্ণনা দেওয়া হয়েছে। আনুষ্ঠানিক চিপের সাথে তুলনা করে, ফ্লিপ চিপ এলইডি তাপ অপচয় এবং অসম বর্তমান বন্টনের সমস্যাগুলি সমাধান করতে পারে। ফ্লিপ-চিপ কাঠামোতে, আলো মূলত একটি স্বচ্ছ সাবস্ট্রেটের মাধ্যমে নির্গত হয়।
অধ্যাপক ঝো উল্লেখ করেছিলেন যে গ্যালিয়াম নাইট্রাইড বৃদ্ধির জন্য traditionalতিহ্যবাহী প্যাটার্নযুক্ত নীলকান্ত স্তর (পিএসএস) ব্যবহার করা, কারণ গ্যালিয়াম নাইট্রাইড প্যাটার্নযুক্ত পাশের ওয়ালগুলিতে উত্থিত হয়, সেখানে অবস্থান ত্রুটি থাকবে এবং গ্যালিয়াম নাইট্রাইড ফিল্মগুলির থ্রেডিং ডিসলোকেশন ঘনত্ব হ্রাস করা সবসময়ই একটি বড় চ্যালেঞ্জ ছিল যা মূলত অভ্যন্তরীণ কোয়ান্টাম দক্ষতার আরও উন্নতি সীমাবদ্ধ করে।
একই সময়ে, পিএসএস স্তরগুলিতে ফ্লিপ-চিপ এলইডিগুলির জন্য হালকা নিষ্কাশন দক্ষতার ক্ষেত্রে অগ্রগতি অর্জন করা কঠিন, কারণ নীলা এবং বায়ুর মধ্যবর্তী ইন্টারফেসে বৃহত প্রতিসরণ সূচক বিপরীতে পূর্বনির্ধারিত।
পিএসএসএ সাবস্ট্রেটের বিপরীতে, যেহেতু সিলিকন ডাই অক্সাইড অ্যারে শঙ্কুগুলির সাইডওয়ালগুলি গ্যালিয়াম নাইট্রাইড দ্বীপ তৈরি করে না, পিএসএসএ সাবস্ট্রেটে উত্থিত এলইডি সাইডওয়াল অঞ্চল এবং সি-প্লেন অঞ্চলে গ্যালিয়াম নাইট্রাইডের মধ্যে যোগাযোগকে কার্যকরভাবে হ্রাস করতে পারে can সাবস্ট্রেট। যৌথ সীমানায় দেখা যায় না এমন মিল mat
অধ্যাপক ঝো বলেছেন যে traditionalতিহ্যবাহী পিএসএস সাবস্ট্রেট সমাধানের তুলনায় পিএসএসএ সাবস্ট্রেটের ফ্লিপ-চিপ এলইডিতে সিলিকন অ্যারে সিলিকন অ্যারে এবং বায়ুর মধ্যে একটি ছোট অপসারণ সূচক বৈসাদৃশ্য রয়েছে, তাই সিলিকন অ্যারে থেকে আরও আলো প্রতিবিম্বিত হয় বায়ু। হালকা নিষ্কাশন দক্ষতা উন্নত করার জন্য।
তদ্ব্যতীত, স্ফটিক গুণমান এবং হালকা নিষ্কাশন দক্ষতার উন্নতির ভিত্তিতে, পিএসএসএ সাবস্ট্রেটে ফ্লিপ-চিপ এলইডি-র বহিরাগত কোয়ান্টাম দক্ষতা পিএসএস সাবস্ট্রেটের ফ্লিপ-চিপ LED এর চেয়েও বেশি।
উহান বিশ্ববিদ্যালয় থেকে দুটি গবেষণায় দেখা গেছে যে পিএসএসএ সাবস্ট্রেটগুলি পিএসএস সাবস্ট্রেটের তুলনায় আরও ভাল প্রতিচ্ছবি এবং প্রতিসরণ কার্য সম্পাদন করতে পারে। পিএসএসএ সাবস্ট্রেটের ব্যবহার থ্রেডিং ডিসলোকেশন ঘনত্বকে হ্রাস করে এবং হালকা নিষ্কাশন দক্ষতা উন্নত করে, এর ফলে ইনজিএন / অ্যালগ্যান ইউভি এলইডি এবং ইনজিএএন / গাএন ফ্লিপ চিপ এলইডি এর কার্যকারিতা উন্নত হয়।
